Erste Flash-Speicher in 110 nm

Date Thu, 18.03.2004 | Topic: Neue Produkte

AMD hat die ersten Flash-Speicher mit 110 nm gefertigt. Hier haben wir für alle News und die Presserelease vorbereitet. Die neuen Speicher hören auf den Namen Spansion, und das ganze klingt schonmal sehr interessant
Folgende Pressemitteilung von heute von AMD:
Sunnyvale, CA, und Tokyo, Japan, 17. März 2004. FASL LLC gab heute den Beginn der Serienproduktion seiner Spansion™ Flash-Speicher im branchenweit modernsten, für die Fertigung qualifizierten Prozess bekannt. Die zur Produktion der Flash-Speicher verwendete Spansion 110-nm-Floating-Gate-Technologie ist die erste Technologie, die die 130-nm-Hürde bei der Herstellung kommerzieller Produkte überspringt und die Produktion von High-Density-Flash-Speichern mit dem branchenweit besten Preis-/Leistungs-Verhältnis ermöglicht. Spansion Flash-Speicher werden von FASL LLC gefertigt und sind von AMD und Fujitsu erhältlich.

"Wir sind überzeugt, dass die 110-nm-Spansion-Technologie das beste Preis-/Leistungs-Verhältnis für mobile Designs sowie im Produktionsumfeld des Jahres 2004 erzielt,"so Amir Mashkoori, FASL LLCs Group Vice President und General Manager der Wireless Business Unit.

"Führende Hersteller von Mobiltelefonen bauen und qualifizieren bereits Produkte mit der 110-nm-Spansion-Technologie, weil sie verstehen, dass sich unsere Überlegenheit beim Preis-/Leistungs-Verhältnis unmittelbar im Erfolg ihrer Produkte niederschlägt. Unsere Kunden erkennen die einzigartigen Werte einer Technologie, die Produkte der Spitzenklasse mit Die-Kostenreduzierungen um bis zu 30 Prozent gegenüber bisherigen Generationen ermöglichen."

"Wir haben die Aktivitäten unseres gesamten Unternehmens darauf ausgerichtet, die Kostenstruktur der 110-nm-Technologie zu optimieren und unsere Fertigungskapazitäten zu vervielfachen," so Jim Doran, FASL LLCs Executive Vice President of Worldwide Technology Development and Manufacturing.

"Unseren Fertigungsteams ist es gelungen, das Erfahrungspotenzial unserer Produktionsstätten Fab 25 in Austin, Texas, und JV3 in Aizu Wakamatsu, Japan, die ausschließlich auf die Produktion von führenden Flash-Speichern abgestimmt sind, voll auszuschöpfen. Ferner gelang es unseren Entwicklungsteams, diese Technologie weiter zu optimieren und pro Wafer bis zu 50 Prozent mehr Dies unterzubringen."

Die 110-nm-Spansion-Technologie kommt als zentrales Element in einem umfangreichen und vielseitigen Produktportfolio zum Einsatz. In Spansion Floating-Gate-Technologie werden zunächst 1,8-V-Burst-Mode- und 3-VPage-Mode-Produktfamilien für den Wireless-Markt produziert. Als Ergebnis kontinuierlicher Innovation werden diese Produktfamilien später in die 110-nm-MirrorBit™-Technologie übergehen, mit der sich eine Verdopplung der Speicherkapazität und damit ein noch attraktiveres Kostenniveau erzielen lassen.

Spansion-Produktfamilien mit 110-nm-Technologie werden in den kommenden Wochen vorgestellt.

Weitere Informationen zu Spansion™ Flash-Speicher gibt es bei AMD.



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